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RS1E170GNTB  与  BSZ058N03LS G  区别

型号 RS1E170GNTB BSZ058N03LS G
唯样编号 A33-RS1E170GNTB A-BSZ058N03LS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.7mΩ 4.8mΩ
上升时间 4.8ns 3.6ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W 45W
Qg-栅极电荷 12nC 30nC
栅极电压Vgs 2.5V 20V
典型关闭延迟时间 27ns 19ns
正向跨导 - 最小值 13S 36S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP-8 -
连续漏极电流Id 17A 40A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 3.3mm
下降时间 3.7ns 3.2ns
典型接通延迟时间 10ns 4.6ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 2,490 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥4.7433
50+ :  ¥3.0473
100+ :  ¥2.4819
500+ :  ¥2.0986
1,000+ :  ¥2.0219
2,000+ :  ¥1.9644
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E170GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

17A 3W 6.7mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C

¥4.7433 

阶梯数 价格
40: ¥4.7433
50: ¥3.0473
100: ¥2.4819
500: ¥2.0986
1,000: ¥2.0219
2,000: ¥1.9644
2,490 当前型号
IRFHM8330TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.7W(Ta),33W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 6.6mΩ@20A,10V N-Channel 30V 16A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
BSZ058N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ058N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSZ058N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ058N03LSGATMA1_30V 40A 4.8mΩ 20V 45W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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